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硅光电二极管阵列 S11299-121

详细参数
元素大小(每1列) 1.175 × 2.0 mm
像元个数 16
封装 Glass epoxy
封装类型 With scintillator
闪烁体类型 CsI(Tl)
冷却方式 Non-cooled
暗电流 (最大值) 30 pA
上升时间 (典型值.) 6.5 μs
结电容(典型值) 40 pF
测量条件 Ta=25 ℃, per element

外形尺寸(单位:mm)
相关下载

Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]

Si photodiode / Application circuit examples [129 KB/PDF]

5硅光电二极管阵列 S11299-121产品样册
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