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16象元硅光电二极管阵列 S12362-321

详细参数
元素大小(每1列) 2.2 × 2.7 mm
像元个数 16
封装 Glass epoxy
封装类型 With scintillator
闪烁体类型 GOS ceramic
冷却方式 Non-cooled
暗电流 (最大值) 50 pA
上升时间 (典型值.) 6.5 μs
测量条件 Ta=25 ℃, per element

外形尺寸（单位：mm）
相关下载

Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]

Si photodiode / Application circuit examples [129 KB/PDF]

316象元硅光电二极管阵列 S12362-321产品样册
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