元素大小(每1列) | 2.2 × 2.7 mm |
像元个数 | 16 |
封装 | Glass epoxy |
封装类型 | Unsealed |
闪烁体类型 | None |
冷却方式 | Non-cooled |
光谱响应范围 | 340 to 1100 nm |
峰值灵敏度波长(典型值) | 920 nm |
光敏度 (典型值) | 0.61 A/W |
暗电流 (最大值) | 50 pA |
上升时间 (典型值.) | 6.5 μs |
结电容(典型值) | 75 pF |
注意 | This photodiode array as it is does not function as an X-ray detector. An appropriate scintillator or phosphor sheet 首ld be added at user’s side. |
测量条件 | Ta=25 ℃, per element, Photosensitivity: λ=λp |
本产品芯片未密封,外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗户的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别严格的保养。
在使用本产品之前,请务必阅读以下“未密封产品/注意事项”。
Unsealed products / Precautions [PDF]
Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]
Unsealed products / Precautions [340 KB/PDF]
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