膜厚量测仪FE-3的特点 使用分光干涉法原理
配置高精度FFT膜厚分析引擎(ZL 第4834847号)
可通过光纤灵活构筑测量系统
可嵌入各种制造设备
可实时测量膜厚
支持远程遥控,多点测量
采用长使用寿命,高稳定性白色LED光源
测量项目
多层膜膜厚解析
用途
光学薄膜(硬涂层,AR膜,ITO等)
FPD相关(resist,SOI,SiO2等)
膜厚量测仪FE-3测试实例
硬涂层膜厚分析
规格:
型号 | E-3/40C | F FE-3/200I |
测量方式 | 分光干涉式 |
测量膜厚范围(nd值) | 20 nm ~ 40 μm | 3 μm ~ 200 μm |
测量波长范围 | 430 nm ~ 650 nm | 900 nm ~ 1600 nm |
测量精度 | ± 0.2 nm以内 *1 | - |
重复精度 | 0.1 nm以内 *2 | - |
测量时间 | 0.1 s ~ 10 s 以内 |
光斑直径 | 约 φ 1.2 mm |
光源 | 白色LED | ハロゲン |
光纤 | 光透射接收用Y型光纤1.5 m ~ 100 m |
尺寸,重量 | 300(W) × 300(D) × 150(H)mm,约 10 kg |
标准 | 峰谷分析,FFT分析,*适化方法解析 |
*1 相对于VLSI 公司产膜厚标准(100nm SiO2/Si)的膜厚保证书所记载的测量保证值范围
*2 重复测量VLSI 公司产膜厚标准(100nm SiO2/Si)的统一点时的扩展不确定度(包括因子2.1)
分光干涉式晶元厚度计sf-3
半导体晶元厚度测量
适用于1600μm以下的膜厚测量
- 通过光学式可进行非接触,非破坏状态下进行厚度测量
- 通过采用分光干涉法实现高测量重复性
- 可高速实时进行研磨监控
- 实现长WD(工作距离),方便嵌入制造设备
- 支持在线测量时所要求的外触发
- 采用了*适合厚度测量的单独分析运算法则