北京先锋泰坦科技有限公司
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黑硅光电探测器

ElFys 提供一系列高性能黑硅光电二极管。该光电探测器是通过采用表面纳米结构技术与原子层沉积涂层相结合，大大提高了光收集效率。

在 200 nm 至 950 nm 范围内具有近乎WM的光响应，外量子效率≥ 96%（通过德国国家计量研究院PTB 认证）。

此光电探测器在紫外波段也同样具有极高的量子效率，比普通的硅光电二极管高出两倍以上。

黑硅表面与定制的原子层沉积涂层相结合，极大地提高了感应角度范围内的表面吸收率，具有极高吸光度的超宽感应角度（> 95% @ 60°）

ElFys 提供SM和PD两大系列的标准产品，也可以针对不同应用需求进行定制。 可以灵活地提供光电二极管芯片和完全封装的光电探 测器解决方案。

SM系列黑硅光电探测器
主要特点：
· 在多波长下具有出色的光敏性：绿色、红色和 NIR
· 低暗电流
· 紧凑型 SMD 封装
典型应用：
· 健康监测
· 可穿戴电子产品



PD系列黑硅光电探测器
主要特点：
· 增强的广谱光敏性：UV、Vis 和 NIR
· 优化的电气特性
· TO-can 封装ZD程度保护环境


典型应用：
· 高精度测光
· 分析仪器
· X射线成像

选型：

产品系列

型号

ZD偏置电压

感光面积

ZD暗电流@ -10 mV

节电容@0V,100kHz

响应率@λp

默认封装 *

[V]

[mm2]

[pA]

[pF]

[A/W]

λp (nm)

SM

SM322

6

3.22

40

60

0.71

970

SMD

SM446

6

4.46

50

80

0.71

970

SMD

PD

PD1sM

10

1

12

20

0.80

1010

TO-46

PD1sH

1

255

11

0.81

1040

TO-46

PD4sM

20

4

15

65

0.80

1010

TO-46

PD25sM

25

30

370

0.80

1010

TO-8

PD25sH

25

700

110

0.81

1040

TO-8

PD100sM

100

60

1200

0.80

1010

PCB

PD100sH

100

1500

340

0.81

1040

PCB

PD5sMG

100

5

15

105

0.80

1010

PCB

PD5sHG

5

400

30

0.81

1040

PCB

PD25sMG

25

30

370

0.80

1010

PCB

PD25sHG

25

700

110

0.81

1040

PCB

PD100sMG

100

60

1200

0.80

1010

PCB

PD100sHG

100

1500

340

0.81

1040

PCB

* 可根据客户要求为所有产品提供定制封装。

ElFys 提供一系列高性能黑硅光电二极管。该光电探测器是通过采用表面纳米结构技术与原子层沉积涂层相结合，大大提高了光收集效率。在 200 nm 至 950 nm 范围内具有近乎WM的光响应，外量子效率≥ 96%（通过德国国家计量研究院PTB 认证）。
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