详细信息
常规硅光电二极管
硅光电二极管是光电探测领域广泛使用的半导体探测元件，其应用领域涵盖生物化学分析、医疗设备、工业自动化、高速光通信、高能 X 射线探测等诸多领域。 美国 OSI Optoelectronics 公司是业内知名的光电二极管供应商，拥有几十年的光电探测器生产历史，能够提供高标准的光电探测解决方案。同时依托其在美国和海外的多处生产工厂， OSI 可在较短时间内向用户大批量供应产品。
光导 / 光伏型光电探测器
● 波长范围： 350-1100nm
● 高速响应：光导加偏压10ns
● 低暗电流： 0.01nA
● 高灵敏度： 0.65A/W
应用：光脉冲探测、光通信、条码阅读、医疗设备、高速光度测量
紫外增强型探测器
● 波长范围： 200-1100nm
● 高灵敏度： 0.14A/W@254nm
● 反转通道型： 100%内量子效率
● 平面扩散性：红外截止，高稳定度
应用：污染检测、紫外荧光、紫外线测试、水质净化、紫外线验钞
单点软 X 射线探测器
● 探测范围： 6eV-17600eV
● 直接探测，无需闪烁晶体，不需要加偏压
● 高量子效率，低噪声
● 真空低温可适应
应用： X 光医疗设备、放射量测定、 X 光光谱仪、带电粒子探测
位置灵敏探测器
● 四象限和线性位置探测
● 高精度、高分辨率、高速响应
● 在长时间和温度变化下仍可以保持高稳定性
应用：光路准直、位置测量、测绘、导航系统、表面分析
背照式硅光电二极管
背照式PD可以有效减少探测器边缘的无效区域，在提高性能的同 时，其封装尺寸更接近芯片，因此阵列拼接和闪烁体安装非常容易。
应用：X 射线检测、计算机断层扫描和其他一般工业测量。
SPO2 专用发射管和接收管
OSI 公司的双波长 LED 发射管和接收管在 SPO2 领域有着极高的产品认可度，是高端产品的代名词。在中高端血氧监测领域占据着绝大多数市场。双波长发射管 DLED 包含一个 660nm 的红光 LED 和一个近红外LED，近红外波长 880nm、 895nm、905nm、 940nm 可选。
DLED 基本参数
| 型号 | LED发射波长nm | 封装形式 | 引脚 | 工作温度℃ | 存储温度℃ |
| DLED-660/880-LLS-2 | 660 | 880 | 陶瓷贴片型 | 2引脚，背靠背 | -25℃—+85℃ | -40℃—+80℃ |
| DLED-660/895-LLS-2 | 895 |
| DLED-660/905-LLS-2 | 905 |
| DLED-660/905-LLS-3 | 905 | 3引脚，共阳极 |
| DLED-660/940-LLS-3 | 940 |
| DLED-660/880-CSL-2 | 880 | 塑料直插型 | 2引脚，背靠背 |
| DLED-660/895-CSL-2 | 895 |
| DLED-660/905-CSL-2 | 905 |
| DLED-660/905-CSL-3 | 905 | 3引脚，共阳极 |
| DLED-660/940-CSL-3 | 940 |
OSI 针对 DLED 产品提供了WM的配套接收管，其在 660nm 和 IR 波段有着极高的灵敏度。配套接收管拥有较低的电容和暗电流，并提供三种有效感光尺寸可选。
接收管基本参数如下
| 型号 | 有效面积 | 光谱 | 灵敏度 | 电容 | 暗电流nA | ZD反 | 工作温度 | 存储温度 | 封装形式 |
| 范围 | 向电压 |
| 面积 | 尺寸 | nm | A/W | pF | -10V | V | ℃ | ℃ |
| mm² | mm | 660nm | 900nm | -10V | 典型值 | 10μA |
| PIN-0.81-LLS | 0.81 | 直径 | 350— | 0.33 | 0.55 | 2 | 2 | 20 | -25℃— | -40℃— | 陶瓷贴片 |
| PIN-0.81-CSL | | 1.02 | 1100 | +85℃ | +100℃ | 塑料直插 |
| PIN-4.0-LLS | 3.9 | 2.31x | | 10 | 5 | | | 陶瓷贴片 |
| PIN-4.0-CSL | | 1.68 | | | | 塑料直插 |
| PIN-8.0-LLS | 8.4 | 2.9x | | 25 | 10 | | | 陶瓷贴片 |
| PIN-8.0-CSL | | 2.9 | | | | 塑料直插 |
主要用途
硅光电二极管是光电探测领域广泛使用的半导体探测元件，其应用领域涵盖生物化学分析、医疗设备、工业自动化、高速光通信、高能 X 射线探测等诸多领域。
技术资料
热线电话
在线咨询
长按识别二维码查看信息详情