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大面阵太赫兹辐射源

TERA-SED 大面阵太赫兹辐射源采用GaAs 光电管，在光导模式（反向偏压）下由飞秒激光照射产生太赫兹辐射。新型的设计使得低偏压、免制冷条件下输出高功率大能量THz 脉冲。
TERA-SED 示意图（左），THz 光谱（右，10V 偏压，0.7nJ 激光脉冲能量）

TERA-SED3

TREA-SED10

尺寸

3×3mm2

10×10mm2

频谱峰值 1.0 ~ 1.5 THz

频谱带宽（-10dB） ~2.5THz

脉冲能量 7.5nJ 10口J

ZG激发强度 8W/mm2

ZG激发功率 650mW

激发光波长 700 ~ 850nm

THz 脉冲电场 <5kV/cm

偏压（DC 或开关） 1 ~ 30V

偏压调制频率 DC ~ 100kHz

占空比 5% ~ 100%，取决于有效面 积及使用类型
TERA-SED 大面阵太赫兹辐射源采用GaAs 光电管，在光导模式（反向偏压）下由飞秒激光照射产生太赫兹辐射。新型的设计使得低偏压、免制冷条件下输出高功率大能量THz 脉冲。
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