上海沃埃得贸易有限公司
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MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器

1.名称: 霍尔效应测试仪
2.功能描述: 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3.设备明细:
3-1 测试范围: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3-2 磁场:
3-2-1 磁场强度: 0.5T 电磁体 (0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选)
3-2-2 磁场类型: 电磁体
3-2-3 磁场均匀性: 磁场不均匀性<±1 %
3-3 测试样品:
3-3-1 样品测试仓: 全封闭、带玻璃窗口
3-4 温 度:
3-4-1 温度区域: 80K ~730K
3-4-2 温控精度: 0.1K
3-4-3 温控稳定性: ±0.1 K
3-5 电阻率范围: 10-6~1013 Ohm*cm
3-6 电阻范围: 10 m Ohms~ 10G Ohms
3-7 载流子浓度: 102~1022cm-3
3-8 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec
3-9 输入电流:
3-9-1 电流范围: 0.1 pA~10mA
3-9-2 电流精度: 2%
3-10 输入电压:
3-10-1 电压范围: ±2.5V,最小可测到6×10-6V
3-10-2 电压分辨率: 3×10-7V
3-10-3 电压精度: 2%

4MMR变温变磁场霍尔效应测试仪器产品样册

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