太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器

太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器

自由空间的太赫兹发射器由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。我们通常使用低温生产的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。

太赫兹发射器参数规格

LT-GaAs天线	GaBiAs天线
激发功率：<50mW, 典型值30mW	激发功率：<50mW
偏置电压：<50V, 典型值40V	偏置电压：<40V
集成高阻硅透镜	集成高阻硅透镜
激发波长：800±40nm	激发波长：1050±40nm
封装XY二维调节架，调节范围±3mm	封装XY二维调节架，调节范围±3mm

自由空间太赫兹探测器（太赫兹光电导天线）

太赫兹探测器参数规格

LT-GaAs天线	GaBiAs天线
激发功率：<50mW	激发功率：<25
集成预放大器	集成预放大器
集成高阻硅透镜	集成高阻硅透镜
探测太赫兹带宽：5THz@100fs激光脉宽	探测太赫兹带宽：5THz@70fs激光脉宽
太赫兹频谱峰值位置：400GHz	太赫兹频谱峰值位置：400GHz
激发波长：800±40nm	激发波长：1050±40nm
封装XY二维调节架，调节范围±3mm	封装XY二维调节架，调节范围±3mm