砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的,应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力很强,它在2-16μm光谱范围有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差,光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下,砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。
砷化镓(GaAs)窗片 1-16μm ф25.4×5mm,砷化镓(GaAs)窗片 1-16μm ф25.4×5mm产品特点
● 化学稳定性好
● 硬度高
● 抗恶劣环境能力很强
产品应用
● 太赫兹时域系统
● 太赫兹源窗片
● 科学实验室研究
● 远红外光学
● 高功率CO2激光器
● 热红外成像系统
● FLIR系统
参数
直径公差 | +0/-0.005“ (+0/-0.13 毫米) |
厚度公差 | ± 0.005英寸(±0.13毫米) |
通光孔径 | 85% |
排比 Parallelism | 3弧分(3 arc min) |
平整度 Flatness | 10.6微米的1/10波 (1/10 wave at 10.6 microns) |
表面光洁度 | 60/40 |
基板材料 | 砷化镓 |
传输范围: | 1-16μm |
折射率: | 3.2727 @10.33μm |
反射损失: | 44%@10.33μm |
吸收系数: | 0.01cm-1 |
吸收峰: | n / a |
dn / dT: | 147×10-6/℃ @ 10μm for derivation |
dn /dμ= 0: | 6.3μm |
密度: | 5.315g/cm3 |
熔点: | 1511℃ |
热导率: | 48 W m-1K-1@273K |
热膨胀: | 5.7×10-6/℃@300K |
硬度: | Knoop 750 |
比热容: | 360 JKg-1K-1 |
介电常数: | 在低频下为12.91 |
杨氏模量(E): | 84.8GPa |
剪切模量(G): | n / a |
体积模量(K): | 75.5GPa |
弹性系数: | n / a |
表观弹性极限: | 71.9 MPa |
泊松比: | 0.31 |
溶解性: | 不溶于水 |
分子量: | 144.64 |
类/结构: | 立方ZnS,F43m,(100)裂解 |
折射率(O光)
µm | No | µm | No | µm | No |
1.033 | 3.492 | 1.550 | 3.3737 | 2.066 | 3.338 |
2.480 | 3.324 | 3.100 | 3.3125 | 4.133 | 3.3027 |
4.959 | 3.2978 | 6.199 | 3.2921 | 7.293 | 3.2874 |
8.266 | 3.2831 | 9.537 | 3.2769 | 10.33 | 3.2727 |
11.27 | 3.2671 | 12.40 | 3.2597 | 13.78 | 3.2493 |
15.50 | 3.2336 | 17.71 | 3.2081 | 19.07 | 3.1866 |
光谱透射曲线
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