InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm

参数

探测器型号

PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90

PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90

有源元件材料

外延InAs异质结构

外延InAsSb异质结构

ZJ波长λ_opt（μm）

2.15±0.2

2.3±0.2

相对响应强度D* (λ_peak),cm·Hz^1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相对响应强度D* (λ_opt),cm·Hz^1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

电流响应度-光敏面长度乘积Ri(λ_opt)·L,A·mm/W

≥5×10⁹

≥5×10⁸

时间常数T，ns

≥1.3

≥1.3

电阻R,Ω

≤20

≤60

元件工作温度T_det,K

≥2K

感光面尺寸A,mm×mm

0.1×0.1

封装

TO39

接收角Φ

～90°

窗口

无