1064nm 四象限Si光电探测器(N型硅象限探测器 光敏面直径 10mm,直流响应度 0.3A/W)

特性参数

符号

测试条件

（除另有规定外，T_A=22℃±3℃）

参数值

单

位

最小值

ZD值

响应度(交流)(象限)

S_pi

λ=1.064μm

V_R=135 V

脉宽20 ns、P_in=2 mW

0.25

—

A/W

响应度(直流)(象限)

R_ei

直流、P_in=1μw

0.30

—

响应度变化量(直流) (象限)^a

响应度变化量(交流) (象限)^a

ΔR_ei

T_A=-45 ℃±2 ℃

—

50

%

暗电流(象限)

I_Di

V_R=135V

P_in=0μw

T_A=22℃±3℃

—

1

μA

T_A=70℃±3℃

—

10

暗电流(环)

I_D

T_A=22℃±3℃

—

10

T_A=70℃±3℃

—

100

结电容（象限）

C_ji

V_R=135V，f=1MHz

—

15

pF

光敏面直径

φ

10

16

mm

等效噪声功率

NEP_i

λ=1.064 μm，V_R=135 V ,脉宽20 ns

—

5×10^-12

W/HZ^1/2

击穿电压（象限、环）

V_BR

I_R=10μA

200

—

V

象元间灵敏度非均匀性

R_f

λ=1.064 μm，V_R=135 V ，脉宽20 ns；P_in=2mW

—

5

%

象元内灵敏度非均匀性

R_fn

λ=1.064 μm，V_R=135 V ，脉宽20 ns；P_in=2mW

—

5

%

象元间窜扰因子

S_Li

λ=1.064 μm，V_R=135 V ，脉宽20 ns；P_in=2mW

—

5

%

尺寸符号

φD₁

ΦD₂

ΦD₃

ΦD₄

ΦD₅

Φd

A

L1

L2

L3

e

最小值

30.55

27.80

3.00

27.915

22.60

0.98

7.03

3.02

1.85

2.70

18.00

ZD值

30.65

28.00

3.06

27.94

23.40

1.02

7.20

3.10

1.95

3.00

18.05

管脚

功能

电压极性

1

象限1

正

2

公共P极

负

3

象限4

正

4

环极

正

5

象限3

正

6

壳体

地

7

象限2

正