筱晓(上海)光子技术有限公司
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铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm


总览

InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。

技术参数

产品特性
截止波长: 2.6μm
低成本
感光面积: φ0.3 mm
低噪声
高灵敏度
高可靠性
高速响应


产品应用

光功率计

气体分析

湿度计

近红外光度法


详细参数

感光面积φ0.3mm
像元个数1
封装Metal
封装类型TO-18
制冷方式Non-cooled
光谱响应范围0.9 to 2.6 μm
峰值灵敏度波长(典型值)2.3 μm
灵敏度 (典型值)1.3 A/W
暗电流 (ZD值)100000 nA
截至频率(典型值)50 MHz
结电容(典型值)1800 pF
噪声等效功率 (典型值)4×10-13 W/Hz1/2
测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.


光谱响应

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外形尺寸(单位:mm)

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封装类型 TO-18
感光面积: φ0.3 mm
制冷方式 Non-cooled
光谱响应范围 0.9 to 2.6 μm
峰值灵敏度波长(典型值) 2.3 μm
灵敏度 (典型值) 1.3 A/W
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