InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型)

产品型号

IGA-APD-GM104-R

参数

符号

单位

测试条件

最小

典型

ZD

反向击穿电压

V_BR

V

22℃±3℃ ，ID =10μA

60

80

90

响应度

R_e

A/W

22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =1

0.8

0.85

暗电流

I_D

nA

22℃±3℃ ，M =10

0.1

0.3

电容

C

pF

22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz

0.25

击穿电压温度 系数

η

V/K

-40℃ ~80℃，I_D =10μA

0.15

参数

单位

测试条件

最小

典型

ZD

单光子探测效 率PDE

%

-45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse

泊松分布单光子源

20

暗计数率DCR

kHz

-45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%

20*

后脉冲概率 APP

-45℃ ，1ns门宽， 2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20%

1× 10^-3

时间抖动Tj

ps

-45℃ ，1ns 门 宽 ，2MHz门控重频，PDE=20%

100