沈阳科晶自动化设备有限公司
沈阳科晶自动化设备有限公司

三靶磁控溅射仪

VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备,可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪配置三个靶枪,一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜,两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备,特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。1、配置三个靶枪,一个配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜,两个配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜(靶枪可以根据客户需要任意调换)。
2、可制备多种薄膜,应用广泛。
3、体积小,操作简便。
4、整机模块化设计,真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计,可根据用户实际需要调整。
5、可根据用户实际需要选择电源,可以一个电源控制多个靶枪,也可多个电源单一控制靶枪。

产品名称 VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪
产品型号
VTC-600-3HD
安装条件 本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)
2、电:AC220V 50Hz,必须有良好接地
3、气:设备腔室内需充注氩气(纯度99.99%以上),需自备氩气气瓶(自带Ø6mm双卡套接头)及减压阀
4、工作台:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上
5、通风装置:需要
主要参数
1、电源电压:220V 50Hz
2、总功率:<2.5KW
3、腔体内径:Ø300mm
4、极限真空度:< E-6mbar(配合本公司设备使用可达到 E-5mbar)
5、工作温度:RT-500℃,精度±1℃(可根据实际需要提升温度)
6、靶枪数量:3个
7、靶枪冷却方式:水冷
8、靶材尺寸:Ø2″,厚度0.1mm-5mm(因靶材材质不同厚度有所不同)
9、直流溅射功率:500W(可选)
10、射频溅射功率:300W/500W(可选)
11、载样台:Ø140mm,可根据客户需求选配加装偏压功能,以实现更高质量的镀膜。
12、载样台转速:1rpm-20rpm内可调
13、保护气体:Ar、N2等惰性气体
14、进气气路:质量流量计控制2路进气,1个流量为100 SCCM,1个流量为200 SCCM
产品规格

主机尺寸:500mm×560mm×660mm,
整机尺寸:1300mm×660mm×1200mm;
重量:160kg

标准配件 1直流电源控制系统2套
2射频电源控制系统1套
3膜厚监测仪系统1套
4分子泵(德国进口或者国产更大抽速)1台
5冷水机1台
6聚酯PU管(Ø6mm)4m
可选配件

金、铟、银、铂等各种靶材
可选配强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜
掩膜版
振动样品台

热线电话 在线咨询

网站导航