脉冲激光分子束外延系统

脉冲激光分子束外延系统
(PLD MBE)

凭借着优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内外拥有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。

PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：
用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；
UHV磁控溅射磁性薄膜；
脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。


仪器主要配置：
主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源。
应用主要包括：
分子束外延系统（MBE）；
GaAs、InP和GaSb外延；
HgCdTe外延；
GaN、InN和AlN外延；
Ⅱ-Ⅵ族外延；
SiGe外延；
Si/金属/氧化物外延；
超高真空物理气相沉积（PVD）系统；
磁控溅射系统；
脉冲激光沉积（PLD）系统；
电子束蒸发系统；
离子束沉积系统；
热蒸发系统。



PVD公司已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的ZG用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的ZG用户提供国际PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。