产品介绍:
SEM3200是一款高性能、应用广泛的通用型钨灯丝扫描电子显微镜。拥有出色的成像质量、可兼容低真空模式、在不同的视场范围下均可得到高分辨率图像。
大景深,成像富有立体感。丰富的扩展性,助您在显微成像的世界中尽情探索。
SE\BSE\EDS\EBSD等
可快速定位目标样品和感兴趣区域
可实现全自动的采图和拼接,展示超大视野画面
在一个图像中观察到样品的成分和表面信息
双阳极结构设计,提升了低电压下的分辨率和成像质量
在低真空下提供样品表面细节和形貌,软件一键切换真空状态
(*为选配件)
产品特点(*为选配件)
低电压
碳材料样品,低电压下,穿透深度较小,可以获取样品表面真实形貌,细节更丰富。
毛发样品,在低电压下,电子束辐照损伤减小,同时消除了荷电效应。
低真空
过滤纤维管材料,导电性差,在高真空下荷电明显,在低真空下,无需镀膜即可实现对不导电样品的直接观察。
大视场
生物样品,采用大视场观察,能够轻松获得瓢虫整体形貌及头部结构细节,展现跨尺度分析。
导航&防碰撞
想看哪里点哪里,导航更轻松
标配仓内摄像头,可拍摄高清样品台照片,快速定位样品。
手势快捷导航
可通过双击移动、鼠标中键拖动、框选放大,进行快捷导航
如框选放大:在低倍导航下,获得样品的大视野情况,可快速框选您感兴趣的样品区域,提高工作效率。
采取多维度的防碰撞方案:
1. 手动输入样品高度,精 准控制样品与物镜下端距离,防止发生碰撞;
2. 基于图像识别和动态捕捉技术,运动过程中对仓内的画面进行实时监测;
3.*硬件防碰撞,可在碰撞一瞬间停止电机,减少碰撞损伤。
特色功能
直观反映整个视野的像散程度,通过鼠标点击清晰处,可快速调节像散至最 佳。
自动聚焦
一键聚焦,快速成像。
自动消像散
一键消像散,提高工作效率。
自动亮度对比度
一键自动亮度对比度,调出灰度合适图像。
多种信息同时成像
SEM3200软件支持一键切换SE和BSE的混合成像。可同时观察到样品的形貌信息和成分信息。
快速图像旋转
拖动一条线,图像立刻“摆正角度”。
丰富拓展性
扫描电子显微镜不仅局限于表面形貌的观察,更可以进行样品表面的微区成分分析。
SEM3200接口丰富,除支持常规的二次电子探测器(ETD)、背散射电子探测器(BSED)、X射线能谱仪(EDS)外,也预留了诸多接口,如电子背散射衍射(EBSD)、阴极射线(CL)等探测器都可以在SEM3200上进行集成。
背散射电子探测器
二次电子成像和背散射电子成像对比
背散射电子成像模式下,荷电效应明显减弱,并且可以获得样品表面更多的成分信息。
镀层样品:
钨钢合金样品:
五分割半导体背散射探测器——多通道成像
探测器设计精巧,灵敏度高,采用5分割设计,无需倾斜样品,可获得不同方向的阴影像以及成分分布图像。
单通道阴影像 成分像
能谱
LED小灯珠能谱面分析结果。
电子背散射衍射
钨灯丝电镜束流大,完全满足高分辨EBSD的测试需求,能够对金属、陶瓷、矿物等多晶材料进行晶体取向标定以及晶粒度大小等分析。
该图为Ni金属标样的EBSD反极图,能够识别晶粒大小和取向,判断晶界和孪晶,对材料组织结构进行精确判断。
应用案例
产品参数
型号 | SEM3200A | SEM3200 | ||
---|---|---|---|---|
电子光学系统 | 电子枪类型 | 预对中型发叉式钨灯丝电子枪(灯丝电流3档可调,可显示灯丝更换时间) | ||
分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | ||
4 nm @ 30 kV(BSE) | ||||
8 nm @ 3 kV(SE) | ||||
*低真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | |||
放大倍率 | 1-300,000x(底片倍率) | |||
1-1000,000x(屏幕倍率) | ||||
加速电压 | 0.2 kV~30 kV | |||
探针电流 | ≥1.2μA,可实时显示 | |||
成像系统 | 探测器 | 二次电子探测器(ETD) | ||
*背散射电子探测器、*低真空二次电子探测器、*能谱仪EDS等 | ||||
图像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
真空系统 | 真空模式 | 高真空 | 优于5×10-4 Pa | |
*低真空 | 5~1000 Pa | |||
控制方式 | 全自动控制 | |||
样品室 | 摄像头 | 光学导航 | ||
样品仓内监控 | ||||
样品台配置 | 三轴自动 | *五轴自动 | ||
行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
/ | R: 360° | |||
/ | T: -10°~ +90° | |||
能谱仪 | 能谱仪探测器 | 分析型SDD硅漂移电制冷探测器,有效面积≥30 mm2,晶体面积≥50 mm2,高分子超薄窗设计,无需液氮冷却,仅消耗电能 | ||
能谱仪能量分辨率 | Mn Ka保证优于129eV | |||
元素分析范围 | B5~Cf98 | |||
软件 | 语言 | 中文 | ||
操作系统 | Windows | |||
导航 | 光学导航、手势快捷导航、可自动叠加电镜图片 | |||
自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 | |||
特色功能 | 智能辅助消像散、*大图拼接(选配软件) | |||
安装要求 | 房间 | 长 ≥ 3000 mm,宽 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm | ||
温度 | 20 ℃~25 ℃ | |||
湿度 | ≤ 50 % | |||
电气参数 | 电源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA |
国仪量子技术(合肥)股份有限公司
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