美国SVT MBE分子束外延设备/MBE

美国SVT公司MBE分子束外延系统

美国SVT公司是世界ding级的MBE供应商，具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。

占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统，以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。

SVT公司拥有独立的应用实验室，可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。

SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。

SVT MBE系统是模块化设计，主要包括装载室模块，预备或分析室模块，主生长室模块。可配10个源，线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离，互不影响。

Model 35-6 AlGaAs（或其他半导体材料）研究和生产型设备，

样品尺寸可达6英寸。

可容纳10个cell。

真空度< 1×10^-10Torr。

可配普通束流源，裂解源，RF源，电子束蒸发源。

Model 35-N-V 标准4''衬底MBE平台，用于生长高质量的氮化物半导体材料。

可容纳10个cell。

真空度< 1×10^-10Torr。

设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。

氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。

26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。

真空度< 1×10^-10Torr。

此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。

该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。

氧化物MBE还包括：26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。

Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。

真空度< 1×10^-10Torr。

可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源，或6个普通源及2个电子束蒸发源。

该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术，

并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。