原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的“纳米”技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。
美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03% 以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上实现膜厚的不均匀性优于99%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500: 1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。
GEMStar XT 产品特点： * 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制 * 175℃温控150ml前驱体瓶，200℃温控输运支管 * 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积 * 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体 * 标准CF-40接口 * 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件 * 等离子体辅助ALD插件 * 多种配件可供选择 | GEMStar XT 产品型号： GEMStar XT： * 大8英寸/200 mm基片沉积（4'和6' 可选） * 单/双路前驱体输运支管， 4/8路前驱体瓶接口 * 不可升级为等离子体增强ALD GEMStar XT-R： * 大8英寸(200mm)基片沉积（4'和6' 可选） * 单/双路前驱体输运支管， 4/8路前驱体瓶和CF-40接口 * 可升级为等离子体增强ALD |
| GEMStar XT-P： * 大8英寸/200mm基片沉积（4'和6 '可选） * 单/双路前驱体输运支管， 4/8路前驱体瓶和CF-40接口 * 装备高性能ICP等离子发生器 13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷， 高运行功率达300W。 * 标配3组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。 |
新产品发布：  | GEMStar NanoCUBE： * 大100 mm 立方体样品 沉积 * 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口 * 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积 |
丰富配件： | ||
多样品托盘： * 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。 * 多基片夹具，多同时容纳9片基片。
| 温控热托盘： * 可加热样品托盘， 高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。
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粉末沉积盘：
| 臭氧发生器：
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真空进样器（Load Lock）  | 晶振测厚仪 | |
前驱体瓶： | 前驱体加热套 | |
粉末旋转沉积罐模块： 配合热壁加热方式，进一步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆。
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手套箱接口： 可从侧面或背面wan美接入手套箱，与从底部接入手套箱不同，不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面，反应过程中不对手套箱有加热效应，不影响手套箱内温度。
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应用案例
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应用领域
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国内外用户
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已发表文献
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