inTEST 热流仪存储芯片高低温冲击测试

存储器芯片是半导体存储产品的核心, 是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元, 存储芯片在出厂时需要测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 上海伯东美国 inTEST Temtronic 热流仪提供 -100°C 至 +300°C 快速温度冲击范围, 满足 Flash 及 DRAM 存储器的研发设计需求, 为存储芯片提供快速可靠的测试环境.

上海伯东存储器芯片高低温冲击测试案例
客户: 某知名存储芯片设计公司, 主要产品 Flash 及 DRAM 存储器
测试设备: inTEST ATS-710-M 搭配爱德万 Advantest 内存 IC 测试系统
测试目的: 研发中存储芯片的运作特性, 同时可用于失效芯片在不同温度下的快速故障诊断.
存储器芯片高低温测试方法: inTEST 热流仪温度区间设置为 125℃ 至 -55℃, 快速实现极端温度下闪存的运作特性, 如电压, 电流等. 闪存多采用 inTEST  DUT mode 即 Device under test 模式来进行高低温循环测式, 将闪存与 inTEST ATS-710-M 使用 T type Thermocouple 相互连接, 如此即可精确掌控受测物达到机台所设定之温度. 闪存高低温测试方法同样适合内嵌式记忆体 eMMC 温度测试.

inTEST Temtronic ATS-710 热流仪技术参数

若您需要进一步的了解 inTEST 热流仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 罗先生