伯东企业(上海)有限公司
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聚焦射频离子源RFCIP220辅助溅射制备GdF3 光学薄膜

2023-02-0176

GdF3光学薄膜拥有优异的光学性能, 在深紫外光学薄膜中有广泛应用, 以193nm投影光刻为例, 其系统有30~40个光学元件, 且部分元件口径高达 400mm,为了使系统高质量成像, 不仅要求制备的薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力, 而且为了膜厚均匀性控制提出了极高的要求.

 

因此某光学薄膜制造商采用KRI 考夫曼射频离子源 FRICP220 和射频离子源 FRICP140辅助溅射制备GdF3光学薄膜, 以求获得透过率高且良好抗激光损伤能力的均匀性的GdF3光学薄膜.

 

客户离子束溅射系统装置图如下图:

 

其中用于溅射的离子源为 20cm的 KRI 射频离子源 RFICP220, 辅助离子源为12cm的KRI 射频离子源 RFICP140.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

伯东 KRI 射频离子源 RFICP140 技术参数:

型号

RFICP140

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>600 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

14 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

24.6 cm

直径

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

工艺简介:

离子源工作气体为Xe气, NF3作为辅助气体反应溅射, 靶材为金属Gd靶.

KRI 射频离子源 RFICP220 主要是用于产生高能Xe离子束轰击靶材, 通过动量传递使靶材原子获得足够的动能而脱离靶材表面, 射向基板, 在基板的上沉积而形成一层薄膜; 另一个辅助离子源(KRI 射频离子源 RFICP140)通入NF3, 通过对生长中的薄膜的轰击, 使得薄膜进一步致密, 同时改善薄膜的化学性能.

 

运行结果:

KRI 考夫曼射频离子源辅助溅射制备GdF3光学薄膜具有极高的透过率和良好的抗激光损伤能力, 而且膜厚均匀性良好.

 

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

 

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