hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻

2021-09-01146

在高压、大功率器件及集成电路中, 铝布线要求能够承受高压、大电流, 在恶劣的环境下具备良好的可靠性, 因此需要一定厚度的铝.

沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀.

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

真空腔	1 set, 主体不锈钢,水冷
基片尺寸	1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,
离子源	ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75
离子束入射角	0 Degree～± 90 Degree
极限真空	≦1x10-4 Pa
刻蚀性能	一致性: ≤±5% across 4”

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：

离子源型号	离子源 KDC 75
Discharge	DC 热离子
离子束流	>250 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	7.5 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-15 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	20.1 cm
直径	14 cm
中和器	灯丝

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
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