hakuto离子刻蚀机10IBE刻蚀衍射光学元件提高均匀度

2021-08-31164

北京某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE刻蚀衍射光学元件.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸	< Ф8 X 1wfr
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源	16cm 考夫曼离子源
均匀性	±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率	20 nm/min
温度	<100

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：

离子源型号	离子源 KDC 160
Discharge	DC 热离子
离子束流	>650 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
中和器	灯丝

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀可提高衍射光学元件表面的均匀性.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw