阴极发光设备（SEM-CL）在ZnO纳米线方面的应用

       由于ZnO具有宽的直接带隙(3,37 eV)、大的激子结合能(60 meV)以及优异的光学、压电和光电性能等特性，越来越多的应用领域认识到这种材料所带来的好处，特别是在涉及半导体、压电、光电和微纳米级高柔性机械性能的应用中，ZnO微/纳米线通常是许多领域的重要材料，包括：a、紫外激光器，探测器和光电二极管:基于ZnO在室温下的宽直接带隙和大激子结合能；b、太阳能电池:ZnO微纳米线具有较大的阳光吸收窗口，而掺杂是调节宽带隙的有效方法；c、纳米发电机:由于半导体之间的强耦合特性，而ZnO微纳米线具有压电性；d、电化学应用:生物和化学传感器；e、光学和机械应用:波导，应变和纳米力传感器。

       阴极发光是研究半导体电子能带结构的关键技术。它的应用领域包括缺陷分布分析、载流子动力学和能带结构的表征，这些参数对提高高性能光学和电子器件的设计至关重要。Attolight CL系统的特点引出了一个新的研究领域:1、纳米结构的全面表征:具有高达10nm的空间分辨率，它是研究局部和非局部应变效应Z有力的工具之一，将对ZnO微纳米线研究带巨大影响；2、使用时间分辨升级，从而能在不同应变状态下得到ZnO微纳米线的载流子扩散和平均寿命；3、缺陷分析:对CL光谱的比较提供了缺陷级别的信息。