北京多晶电子科技有限公司
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PULSELAS®-P 亚纳秒被动调Q DPSS微芯片激光器

PULSELAS®-P 亚纳秒被动调Q DPSS微芯片激光器描述:  

ALPHALAS提供了一系列脉冲持续时间低于1ns、1064nm处峰值功率很高、具有TEM00光束轮廓的被动调Q激光器。PULSELAS®-P激光器采用专有的微芯片设计。单片激光腔是对准的,因此非常稳定。

高能型号可提供超过1.5 mJ的脉冲,脉冲持续时间为1 ns,从而使微芯片激光器的ZG峰值功率>1.5 MW,可直接从振荡器(无放大器)获得。各种型号的重复频率高达100kHz,平均功率范围从100mW到1W。

内置频率发生器和外部TTL触发是大多数型号的标准功能。还可选择转换为绿色(532 nm)和紫外线(355 nm、266 nm)。

可靠和坚固的微芯片设计非常适合OEM工业应用。紧凑的设计适合几乎任何系统集成。光纤泵浦选项提供了更紧凑和灵活性。

这些独特的激光器具有广泛的应用范围,从光子晶体光纤中的超连续谱产生到内燃机点火和微机械加工。

被动调Q

非常紧凑

专有微芯片设计

1064nm的亚纳秒脉冲

ZG峰值功率(>1.5 MW)和脉冲能量(>1.5 mJ),直接来自振荡器

重复频率高达100 kHz

平均功率高达1 W

低抖动外部触发

532、355和266 nm的频率转换(可选)

其他波长(例如946nm、1342nm),根据要求使用ns脉冲

应用

材料加工

微机械加工

硬材料(如钻石)的标记和切割

非线性光学

超连续谱的产生

时间分辨荧光测量

DNA分析

激光雷达和激光测距

污染监测

激光诱导击穿光谱(LIBS)

、内燃机和气体混合物的点火

ALPHALAS提供了一系列脉冲持续时间低于1ns、1064nm处峰值功率很高、具有TEM00光束轮廓的被动调Q激光器。PULSELAS®-P激光器采用专有的微芯片设计。单片激光腔是对准的,因此非常稳
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