HSPR-X-I-1G4-SI GHZ光接收器系列HSPR-X和HSA-X-S 德国Femto-北京多晶电子科技有限公司

详细信息

德国Femto GHZ光接收器系列HSPR-X和HSA-X-S

特征

Ø Si-PIN和InGaAs-PIN光电二极管

Ø 光谱范围从320到1700 nm

Ø 超宽带，频率范围从10 kHz到2 GHz

Ø 大转换增益4.75 x 103 V/W

Ø 低NEP 11 pW/√Hz

GHZ技术

HSPR-X和HSA-X-S系列超快光接收器将高质量的光电二极管与成功的FEMTO GHz放大器技术结合在一起。大带宽为2 GHz，对应的小上升时间为180 ps。两种带有Si-PIN或InGaAs-PIN光电二极管的型号覆盖320至1000 nm或900至1700 nm的光谱范围。得益于极低噪声的放大器设计，小等效噪声输入功率（NEP）仅11 pW /√Hz，增益为5 x 103 V/A.。这样就可以使用GHz带宽检测μW范围内的光信号。

应用领域

Ø 光谱学

Ø 快速脉冲和瞬态测量

Ø 光学触发

Ø 示波器和快速A/D转换器的光接收器（O/E转换器）

模型	HSA-X-S-1G4-SI	HSPR-X-I-1G4-SI 倒置	HSA-X-S-2G-IN	HSPR-X-I-2G-IN 倒置
光电二极管	Ø0.4毫米Si-PIN	Ø0.4毫米Si-PIN	Ø0.1 mm InGaAs PIN	Ø0.1 mm InGaAs PIN
光谱范围	320 ... 1000纳米	320 ... 1000纳米	900 ... 1700纳米	900 ... 1700纳米
带宽（−3 dB）	10 kHz至1.4 GHz	10 kHz至1.4 GHz	10 kHz至2 GHz	10 kHz至2 GHz
上升/下降时间（10％-90％）	250 ps	250 ps	180 ps	180 ps
跨阻抗	5 x 103 V/A	5 x 103 V/A invertierend	5 x 103 V/A	5 x 103 V/A invertierend
转化增强	2,55 x 103 V/W (@ 760 nm)	2,55 x 103 V/W (@ 760 nm)	4,75 x 103 V/W (@ 1550 nm)	4,75 x 103 V/W (@ 1550 nm)
NEP（@ 100 MHz）	32 pW/√Hz (@ 760 nm)	19 pW/√Hz (@ 760 nm)	16 pW/√Hz (@ 1550 nm)	11 pW/√Hz (@ 1550 nm)
输出驻波比VSWR	2.5：1	1.4：1	2.5：1	1.4：1
输出噪音	3.6 mV均方根	2.5 mV RMS	3.6 mV均方根	2.5 mV RMS
大输出电压@ 50Ω	1.9 V PP	2.0 V PP	1.9 V PP	2.0 V PP
输入选项	自由喷射（FS）或FC	自由喷射（FS）或FC	自由喷射（FS）或FC	自由喷射（FS）或FC
数据表

输出短路保护。M4和8-32螺纹孔，易于安装在光机械系统中。电源电压通过3针Lemo + 15V ®插座。包括合适的插头。可选提供PS-15系列的匹配电源。有关更多详细信息，请参见数据表。

产品优势

HSPR-X-I-1G4-SI GHZ光接收器系列HSPR-X和HSA-X-S 德国Femto