冷热冲击试验箱检测半导体器件试验方案

对半导体芯片进行初始的电气性能参数测量，如电阻、电容、漏电流等，并记录。

检查芯片外观，无明显缺陷。

将样品放入冷热冲击箱，设置温度变化范围为 -55℃ 至 125℃，高温和低温分别保持 1 小时，转换时间 15 秒，循环冲击 500 次。

在试验过程中，定期监测芯片的电气性能。

每 100 次循环后，取出样品，在常温环境下静置 1 小时，然后进行电气性能检测和外观检查。

完成全部循环后，对样品进行全面的电气性能检测和封装材料的微观结构观察。