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等离子体化学气相沉积该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,各方面控制真空系统,适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、等离子体化学气相沉积、 SiONx a-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料。