极紫外线 (EUV) 辐射包括在 X 射线和深紫外线 (DUV) 光谱区域之间约 10nm 至 100nm 的波长带。随着极紫外线领域(包括光刻技术、纳米级成像和光谱学等)中对于许多应用的需求日趋紧迫,Z jin 均已着手开发紧凑型极紫外线光源。这一努力为几种极紫外线光源带来了商业可用性.
几乎所有材料都能够 完 quan 吸收极紫外线辐射,因此光学元件几乎都是反射,而不是透射的。由于波长很短,因此对极紫外线光学元件表面的质量要求比可见光元件的要求更高。虽然由于其苛刻的要求,生产极紫外线光学元件并非易事,但因极紫外线辐射在高分辨率成像、光谱学和材料加工等方面的优势,仍然值得为此付出努力.