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铁酸铋(BiFeO3)这类的铁电半导体,由于其固有的特点可以加速光产生载流子,使得其在太阳能转换和存储方面的应用越来越受到研究。然而,铁酸铋通常是使用复杂和昂贵的制造技术来制备的,如外延生长、射频溅射和脉冲激光沉积等技术,这些在大规模生产制造铁酸铋时成本会很高。
Antonio Tricoli课题组报告了一个简单且可伸缩的多孔铁酸铋(BiFeO3)钙钛矿半导体,通过测试发现其光电化学性能明显提高。通过原子层沉积二氧化钛覆盖物和光辅助电沉积钴氧化物/氢氧化物辅助催化剂作用下,从原始微不足道的光电流密度显著增加到0.16 mA cm−2(在模拟1sun太阳辐照AM1.5G光谱下)。改进的电荷转移和电化学动力学促进了光电氧化活性的显著增强。而且,这种铁酸铋(BiFeO3)光阳极功能相比可逆氢电极将光电化学氧化起始电位从0.7 V降低到0.6 V。