方阻仪/四探针电阻率检测仪KDK-KDY-1

文档简介低阻型四探针检测仪/方阻仪/四探针电阻率检测仪型号;KDK-KDY-1仪器采用GB/T1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法（2）范围：电阻率10-5～10+3欧姆厘米，分辨率为10-5欧姆厘米方块电阻10-4～10+4欧姆/□，Z小分辨率为10-4欧姆/□（3）可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等可准确测量的半导体尺寸：直径≥20可测量的半导体尺寸：直径≥8（4）测量方式：平面测量。（5）电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化A.量程0~19.999mVB.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)C.灵敏度：1uVD输入阻抗1000MΩE41/2位数字显示，0～19999（6）恒流源：A.电流输出：直流电流0.003～100mA连续可调，有交流电源供给B.量程：10uA，100uA，1mA，10mA，100mA五档C.恒流源精度：各档均≤±0.05%（7）四探针测试探头A.探头间距1.59B.探针机械游率：±0.3%C.探针直径0.8D.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。（8）测试架：（选配）手动测试架：KDJ-1A型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。（9）精度电器精度：1-1000欧姆≤0.3%整机测量精度：1-100欧姆厘米≤3%（10）电流：220V±10%，50HZ，功率消耗35W注：如果测金属粉末电阻率必把样品压成块或片才能测