KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 制备 NGZO 薄膜

上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 , 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜.

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

实验室通过 XRD 和 SEM 对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析,通过紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜透过率和载流子浓度、迁移率及薄膜电阻率进行研究.

实验结果:

通过与未掺入 N 的 Ga 掺杂氧化锌 (GZO) 薄膜相比, 在可见光区, 尤其是 600~800 nm 范围内, NGZO 薄膜平均透过率在80%以上,符合透明导电薄膜透过率的要求.

在 N-Ga 共掺杂薄膜中, N 的掺杂主要占据 O 空位, 并吸引空位周围的电子, 这减小了薄膜晶格畸变, 并产生电子空穴, 使得薄膜中电子载流子浓度降低, 空穴载流子浓度增加, 电阻率有所增加.

随着氮气流量的变化, 发现在 25 mL/min 时, 薄膜具有好的综合性能. 这种薄膜可用于紫外光探测器等需较大电阻率的应用中, 并有望实现 n-p 型转化. 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.