答疑：AES样品制备、数据采集及处理

Q：为何俄歇谱纵坐标是：电子数和能量乘积，XPS的纵坐标是只有电子数而没有能量?

A：请参考我们的俄歇讲堂第二课有关硬件原理的回放视频。

Q：俄歇和XPS都用SCA，为何得到信号不同？

A：首先，我不确定我是否清楚这个问题。因此，我会以两种方式作出回答。diyi种回答：XPS是通过用X射线轰击样品,从而产生包括光电子，俄歇电子和二次电子。 结果中XPS能谱将是这三种电子的叠加。对于AES，它是由电子击中样本，产生俄歇电子，二次电子和背散射电子。结果谱将是这三种电子的叠加。因此，如果我们的问题是为什么XPS和AES的“信号”不同，可以如以上的方法解释。第二种回答：对于XPS分析，能量分析器将以FAT模式工作，输入透镜会对正在侦测电子减速至同一的动能，以让分析器的通过能保持不变。 对于俄歇分析，能量分析器将以FRR模式工作，侦测中的电子会以固定的减速比进入能量分析器，并时通过能实际上持续变化。 因此，结果图谱也将有所不同。

Q：高和低电子束分析时，样品深度不一样吗？

A：侦测深度不会随着入射电子束能量的升高或降低而改变。AES是表面分析技术，因为产生的俄歇电子仅具有〜5nm的非弹性平均自由程。无论入射电子束能量是高还是低，这都是相同的。但是，需要注意的一件事是，更高或更低的入射电子束能量将极大地改变背散射电子的行为，当中在SEM和AES的结果都会因为这因素而受到影响。

Q：弹性散射峰的强度忽高忽低，为啥？

A：通常，在进行Zalign调整工作距离时，我们会看到弹性峰在Z合适的Z值处达到Z大讯号强度。如果您看到强度信号不稳，Z好请工程师进行检查出真正的原因。

Q：AES能做元素价态分析吗？

A：可以。如ppt材料（以及下面）所示，AES能够实现一些化学态面扫(Map)分析。

Q：高能区域的峰信号弱，怎样改善?

A：可以使用更高的入射电子束能量以获得在这动能的俄歇峰更好的信噪比。通常我们会说，如果感兴趣的俄歇峰 > 1000eV动能，Z好使用较高的入射电子束能量（例如10kV），而如果感兴趣的俄歇峰位于较低的KE范围（<1000eV），那么可以使用较低的入射电子束能量（例如3kV或5kV）去获得更好的峰值讯噪比图谱结果。

Q：如有重叠峰，软件可以依据次强峰去自动换算?

A：是的，MultiPak可以很容易地做到这一点。只需将选定的元素改成所希望用的另一轨道的峰(e.g.Cu1改到Cu2)，就可以使用同元素不同轨道俄歇峰做定量。

Q：定量计算式，需要扣除背底吗?

A：在XPS中我们是使用峰的面积进行定量计算，而在AES中，我们则是使用微分谱中峰对峰(Peak-to-Peak)强度去做定量计算。因此，对于AES定量分析，并不存在扣背景扣除的概念。但是像在PPT讲堂中提到，另一些时侯如背景太高而影响峰形时,或需要判断化学态峰形状等原因，有时我们是会需要对俄歇原始数据进行背景扣除的。

AES系列讲座虽然已经结束

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