关于PHI CHINA 表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT（3）部分答疑更正

       在2020年2月15日发布的“PHI CHINA 表面分析技术网络讲堂之光电子能谱ZT（4）”后，陆续收到老师们的反馈，其中有老师就第三课"俄歇峰和振激峰有什么区别"的解答部分给出了一些专业的建议，指出了我们理论上的不足之处。PHI CHINA秉持科学严谨的态度，特此为该问题的解答做出更正。更正如下：

Q:俄歇峰和振激峰有什么区别吗？

A：

（1） Shake-up/Shake-off震激/震离峰

       在光电发射中，由于内壳层形成空位，原子ZX电位发生突然变化将引起价带层电子的跃迁。

       如图1所示：

       震激：价带电子向未占有电子轨道跃迁（也就是向导带跃迁）

       震离：价带电子向真空能级跃迁，变成自由电子，造成的能量消耗和损失（对应的光电子能量下降，结合能在高位），但震离不明显（需要损失更高能量才能发生）；

       通常过渡金属氧化物、稀土元素都有比较特征的震激谱峰，对研究分子结构有价值。

图1 Shake-up lines震激峰产生原理

（二价氯化铜、聚苯乙烯、氧化铜、硫酸铜的震激峰）

图2 震激峰示例

（二价氯化铜、聚苯乙烯、氧化铜、硫酸铜的震激峰）

（2）俄歇峰产生的原理：

       在光子激发原子产生光电子后，其原子变成激发态离子。激发态离子是不稳定的，会产生退激发（能量驰豫）。光电子出射后产生电子空穴，外层电子向空穴跃迁填补空穴会释放能量，此能量被次外层电子获得，就可以克服轨道的束缚逃逸出去，那这个逃逸出去的电子就是俄歇电子（如图3）。在多种退激发过程中，Z常见的就是俄歇电子的跃迁，因此在XPS图谱中必然有俄歇谱峰（如图4）。

       其原理与电子束激发的俄歇谱相同，仅是激发源不同。

图3 俄歇电子产生的原理

图4 XPS图谱中的俄歇谱峰：Cu全谱中的CuLMM俄歇谱峰

感谢老师们的反馈，也希望今后能继续关注与支持PHI CHINA,我们相互学习、共同探讨与提高。