普拉勒大流量高纯氢气发生器助力半导体材料制备

半导体制造技术作为信息时代制造的基础，堪比工业时代的机床，是整个社会发展的基石和原动力。在国际产业分工格局重塑的关键时期，我国也提出了《ZG制造2025》，以通过智能制造实现由制造大国向制造强国的转换。智能制造（工业4.0）的实现，以各种信息器件的使用为基础，半导体制造技术正是其制造的核心技术。
而氢气作为半导体制造中的气源，在半导体材料及器件制备中起到至关重要的作用。可在光电器件、传感器、IC制造中应用。
目前半导体工艺中氢气主要用于退火、外延生长、干法刻蚀等工艺。
退火是通过高温加热释放材料内部应力从而改善材料质量的一种材料处理办法，氢气作为保护气可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生长后释放应力。
氢气也可以应用在化学气相沉积（Chemical Vapor Depositon）薄膜生长。化学气相沉积是一种利用固态-气态反应、气态-气态反应生成薄膜的设备，如在CVD工艺中作为还原性气体制备二维材料MOS2、WS2等；等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺中作为还原性气体制备石墨烯、单晶硅、碳化硅等；电子回旋共振化学气相沉积（ECR-CVD）中作为反应气体在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜；金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备中作为载气制备光电材料GaN、AlGaN等。同时氢气也可以在原子层沉积（Atomic Layer Deposition）中使用。
氢气在等离子体刻蚀（RIE/ICP）中作为反应气体出现，等离子体刻蚀原理是利用反应气体离化后与材料发生反应生成挥发性物质，从而实现材料图形化，是半导体器件制备的必备工艺。
普拉勒氢气发生器目前已大量应用在以上工艺中，为半导体材料及器件制备提供Z好的气源。

普拉勒Z新打造拳头产品:大流量高纯氢气发生器Hydrogen-17L可与普拉勒超纯水机联用，由超纯水机制取二级水，并储存至水箱备用。氢气发生器缺水时，自动供给至氢气发生器。多台氢气发生器可串联使用，通过串联控制线由一台发生器控制其他发生器，实现产气均匀分配。（以两台设备为例控制图如下）

大流量高纯氢气发生器Hydrogen-17L主要技术参数

◎ 氢气纯度： 99.999-99.9999%

◎ 氢气流量：1m³ /h

◎ 输出压力：0-80psi（约0.5MPa）

◎ 压力稳定性：< 0.001MPa

◎ 供电电源：220V±10% 50HZ

◎ 消耗功率：8kw

◎ 纯水需求：＞2MΩ&1L/h

◎ 氢气容积：＜20L

◎ 环境温度：1-40℃

◎ 相对湿度：<85%

◎ 海拔高度：＜2000米

◎ 外形尺寸：80x90x100（WxDxH cm）

◎ 净重：约200kg

仪器特点

◎ 仪器的全部工作过程均由程序控制，自动恒压、恒流，通过串联控制线，可实现多组并联使用。

◎ 使用固态电解质（PEM）法产生氢气，以超纯净水原料，以固体聚合物为电解质，贵金属做电极有效的除湿装置，降低了原始湿度，纯度稳定。

◎ 操作方便使用时只需打开电源开关即可产氢，使用后无需泄压，直接关闭电源即可。可连续使用，也可间断使用，产氢量稳定不衰减。

◎ 安全可靠：配有安全装置，电解超纯水制氢，无腐蚀、无污染，配有压力控制，缺水自动监控，漏气自动检测。