如何根据紫外可见吸收光谱计算半导体带宽及Homo/Lumo

直接带隙半导体：导带Z小值（导带底）和价带Z大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。例如：III-V半导体GaAs， InP等。
直接带隙半导体的重要性质：1) 直接带隙半导体中载流子的寿命很短；2) 导带电子与价带空穴的复合是直接复合，可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高，这也就是为什么发光器件（量子点）多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因。
间接带隙半导体：导带Z小值（导带底）和价带Z大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。典型例子如Si， Ge等元素半导体。