纳米技术的缺点是什么？尽量快点！！！

利用电子顺磁共振(EPR)技术对纳米GaP粉体材料的本征点缺陷进行了研究，结果表明：由EPR信息的g因子值(2．0027±0．0004．)可以确定纳米GaP粉体材料存在Ga自填隙(Gai)本征缺陷；纳米GaP粉体EPR信号超精细结构消失，以及谱线线宽(ΔHpp)变窄等实验现象，可能是由纳米材料界面的无序性，以及缺陷原子和界面原子之间的电子交换造成的；在较低的测试温度范围内，升高温度引起纳米GaP材料发生晶界结构弛豫；当测试温度由100K升高至423K时，ΔHpp值和自由基浓度皆逐渐降低