金属薄膜的沉积速率一般是多少

　　沉积速率跟好多因素有关，离子镀的话，一般1微米/小时。（跟靶功率有关系）

　　具体计算方法可以参考：
　　沉积速率与诸多因素有关可定性的表示为q=CSI
　　q为沉积速率，C为常数，S为溅射产额，I为放电电流。凡是影响溅射产额的因素都对沉积速率有影响，溅射产额是个必要条件，诸多因素中，Z主要的有几个：
　　1、外加功率对沉积速率的影响：阴阳极的距离确定、放电处于反常辉光放电区（电压升高电流加大）条件下，沉积速率与加在阴极上的功率成正比；
　　2、沉积速率与放电电流的关系：提高放电电流的Z有效途径是适当提高溅射气体压强；
　　3、基体与阴极靶之间的相对位置：在不影响阴极暗区的前提下，阴阳极间的距离越近，沉积速率越大。（但厚薄均匀性下降，--指靶及基体固定不变时）
　　4、气体压强对沉积速率的影响：沉积速率与气体压强不是线性关系，低气体压强时，正离子少，溅射产额低，沉积速率低；随气体压强升高，正离子增多，溅射产额提高，沉积速率上升；在某一个气体压强时达到Z大值；继续提高气体压强，沉积速率开始下降。

沉积速率与诸多因素有关可定性的表示为
q=CSI
q为沉积速率，C为常数，S为溅射产额，I为放电电流。凡是影响溅射产额的因素都对沉积速率有影响，溅射产额是个必要条件，诸多因素中，Z主要的有几个：
1、外加功率对沉积速率的影响：阴阳极的距离确定、放电处于反常辉光放电区（电压升高电流加大）条件下，沉积速率与加在阴极上的功率成正比；
2、沉积速率与放电电流的关系：提高放电电流的Z有效途径是适当提高溅射气体压强；
3、基体与阴极靶之间的相对位置：在不影响阴极暗区的前提下，阴阳极间的距离越近，沉积速率越大。（但厚薄均匀性下降，--指靶及基体固定不变时）
4、气体压强对沉积速率的影响：沉积速率与气体压强不是线性关系，低气体压强时，正离子少，溅射产额低，沉积速率低；随气体压强升高，正离子增多，溅射产额提高，沉积速率上升；在某一个气体压强时达到Z大值；继续提高气体压强，沉积速率开始下降。