说明为什么溅射产额能随离子质量的增加而增加

二氧化硅（SiO2）薄膜是一种性能优良，应用广泛的介质薄膜。随着微电子技术和集成电路的快速发展，SiO2薄膜由于其稳定的化学性质和电绝缘性质，在集成器件中作为表面钝化膜和多层布线层间介质膜，更显示出它的重要地位，SiO2薄膜的制备工艺也成为集成电路制造技术重要内容。
SiO2薄膜的制备方法得到了发展与应用，主要有物理气相沉积、化学气相沉积、氧化法、溶胶凝胶法和液相沉积法等。其中物理气相沉积(PVD)物理气相沉积主要分为蒸发镀膜、离子镀膜和溅射镀膜三大类。
Z新发展起来的磁控射频溅射技术，能达到快速和低温的要求，不仅弥补了射频溅射的缺点，大大减小了电子对衬底表面直接轰击造成的损伤，且能在较低的功率和气压下工作。绝缘体和导体均可溅射，工艺简单，衬底温度低，薄膜厚度的可控性、重复性及均匀性与其他薄膜制备方法相比有明显的改善和提高，因而得到了广泛使用。
你可以参考一下以下文献：
许生，侯晓波，范垂祯，等.硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究[J].真空，2001，(5):1～6.[8]　
郑祥钦，郭新立，廖良生，等.脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射[J].半导体学报，1998，19:21～24