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内存条有几种?怎么识别大小?型号?

O被强煎的蛋Oo 2006-01-06
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zvskwyiir79744
目前内存的类型主要有3种:SDRAM(同步动态随即存取存储器)、DDRAM(双倍传输速度随即存取存储器,简称DDR)、RDRAM(总线式动态随即存取存储器),目前SDRAM基本被淘汰,只有那种老一点的电脑是SDRAM SDRAM的内存条上(就是那一排插槽的地方)中间有2条用来间隔的空隙DDRAM的内存条上中间只有1条用来间隔的空隙。RDRAM内存条插槽,找个卖电脑的或到电脑商城什么的地方问一下就可以了。 一块主板不能同时支持SDRAM和DDRAM这两种型号。 DDRAM和SDRAM的也好象不能 你可以到中关村在线查一下,支持什么样的内存  http://www.zol.com.cn/ 直接输入主板型号,查主板参数就可以找到 DDR 内存是看起来是竖着一片一片的长方体内存颗粒. DDR2 内存看起来内存颗粒是小些,横着正方体的. DDR 和DDR2的缺口的位置都不一样,缺口不同, DDR 分:133 266 333 400 DDR2 分: 533 667等
2 0 2017-10-02 0条评论 回复
tiandexian
SD,DDR,DDR2
9 0 2006-01-07 0条评论 回复
ttyhguu
有32M的,64M的,128M的,256M的,512M的
4 0 2006-01-07 0条评论 回复
339542734
不同牌子的内存看法都不一样的,我收集了一些常用品牌的内存读法供参考:
DDR SDRAM:
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:

HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

整个DDR
SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下:
1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)
3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V &
VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M
8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)
10.
封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11.
封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12. 封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400
3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14. 工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

由上面14条注解,我们不难发现,其实Z终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR
SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的Z高工作状态是多少。假如,消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说,它只支持DDR200)
注:有的编码没有那么长,但几个根本的数字还是有的

LGS的内存可以说是目前市场上见到的Z多,也是Z广泛的内存了,所以LGS应该首先排diyi位。

LGS的内存编码规则:
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义:

1、GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V电压。
4、内存单位容量和刷新单位:其中:16:16M,4K刷新;17:16M,2K刷新;28:128M,4K刷新;64: 64M,16K刷新。65:64M,8K刷新;66:64M,4K刷新。
5、数据带宽:4:4位,8:8位,16:16位,32:32位。
6、芯片组成:1:1BAND,2:2BANK,4:4BANK,8:8BANK
7、I/O界面:一般为1
8、产品系列:从A至F。
9、功耗:空白则是普通,L是低功
10、封装模式:一般为T(TSOP)
11、速度:其中:8:8NS,7K:10NS(CL2),7J(10NS,CL2&3),10K(10NS[一说15NS],PC66), 12(12NS,83HZ),15(15NS,66HZ)

二、HY(现代HYUNDAI)

现代是韩国的内存生产厂,其产品在国内的占用量也很大。

HY的编码规则:
HY 5X X XXX XX X X X X- XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

定义:

1、HY代表现代。
2、一般是57,代表SDRAM。
3、工艺:空白则是5V,V是3V。
4、内存单位容量和刷新单位:16:16M4K刷新;64:64M,8K刷新;65:64M,4K刷新;128:128M, 8K刷新;129:128M,4K刷新。
5、数据带宽:40:4位,80:8位,16:16位,32:32位。
6、芯片组成:1:2BANK,2:4BANK;3:8BANK;
7、I/O界面:一般为0
8、产品线:从A-D系列
9、功率:空白则为普通,L为低功耗。
10、封装:一般为TC(TSOP)
11、速度:7:7NS,8:8NS,10P:10NS(CL2&3),10S:10NS,(PC100,CL3),10:10NS,12: 12NS,15:15NS

三、SEC(三星SAMSUNG)

做为韩国的电器厂商,三星的重要性不必多说,在内存方面,三星的产量虽然不及上两者大,但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来,而且三星的产品线较全,所以品种非常多,此处仅供普通SDRAM参考。

SEC编码规则:
KM4 XX S XX 0 X X XT-XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11

1、KM代表SEC三星,此处编码一般均为4。
2、数据带宽:4:4位,8:8位,16:16位,32:32位。
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。
5、一般均为0
6、芯片组成:2:2BANK,3:4BANK
7、I/O界面:一般为0
8、版本号
9、封装模式:一般为T:TSOP
10、功耗:F低耗,G普通
11、速度:7:7NS,8:8NS,H:10NS(CL2&3),L:10NS(CL3),10:10NS。

四、MT(MICRON美凯龙)

美凯龙是美国的计算机生产商,同时也是一家计算机设备制造商,其内存的产品全美国,被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异,但价格较韩国的产品略高。

MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM。
3、一般为LC:普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量。
5、一般为M
6、位宽:4:4位,8:8位,16:16位,32:32位
7、AX代表write Recovery(twr),A2则代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封装模式。
9、速度:7:7NS,75:7.5NS,8X:8NS(其中X为从A到E:读取的周期分别是:333,323,322, 222,222,所以D和E较好),10:10NS
10、如有L则为低功耗,空白则为普通。

五、HITACHI(日立HITACHI)

日立是日本的的微电子生产厂,其内存虽然在市场上占有量不大,但品质还是不错的!

HM 52 XX XX 5 X X TT- XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HM代表日立。
2、52代表SDRAM,51则为EDO
3、容量
4、位宽:40:4位,80:8位,16:16位
5、一般为5
6、产品系列:A-F
7、功耗:L为低耗,空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度:75:7.5NS,80:8NS,A60:10NS(CL2&3),B60:10NS(CL3)

六、SIEMENS(西门子)

西门子是德国Z大的产业公司,其产品包罗万向,西门子的电子产品也是欧洲Z大的品牌之一(另一是PHILIPS)。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的,产品品质还算不错。

HYB39S XX XX 0 X T X -X
1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽:40:4位,80:8位,16:16位
5、一般为0
6、产品系列
7、一般为T
8、L为低耗,空白为普通
9、速度:
6:6NS,7:7NS,7.5:7.5NS,8:8NS(CL2),8B:10NS(CL3),10:10NS

七、FUJITSU(富士通FUJITSU)

富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商,他的内存产品主要是供应OEM商,市场上仅有少量零售产品。

MB81 X XX XX X2 X-XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9

1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F,普通的内存为1
3、容量
4、位宽:4:位,8:8位,16:16位,32:32位
5、芯片组成:22:2BANK,42:4BANK
6、产品系列
7、速度:60:6NS,70:7NS,80:8NS,102:10NS(CL2&3),103:10NS(CL3),100:10NS,84: 12NS,67:15NS

八、TOSHIBA(东芝)

东芝是日本的电器制造商,其在高端领域也有产品,例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。

TC59S XX XX X FT X-XX
1 2 3 4 5 6 7 8

1、TC代表东芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量:64:64MBIT,128:128MBIT
4、位宽:04:4位,08:8位,16:16位,32:32位
5、产品系列:A-B
6、FT为TSOP封装模式
7、空白为普通,L为低功耗
8、速度;75:7.5NS,80:8NS,10:10NS(CL3)

九、MITSUBISHI(三菱)

三菱是日本的一家汽车制造公司,因其多元化发展,所以在IT业和家电业也有产品,三菱的微集成电路技术不同一般,所以其在内存领域也占有一席之地,因为速度、品质优异,而成为INTEL的PII/PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面,因为较贵,所以市场上少见。

M2 V XX S X 0 X TP-XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

1、M2代表三菱产品
2、I/O界面。一般为V
3、容量
4、一般为S,说明是SDRAM
5、位宽:2:4位,3:8位,4:16位
6、一般为0
7、产品系列
8、TP代表TSOP封装
9、速度:
8A:8NS,7:10NS(CL2&3),8:10NS(CL3),10:10NS。
10、空白为普通,L为低耗。
10 0 2006-01-07 0条评论 回复
l329634408
内存条分为:EDO\SDRAM\DDRRAM\DDR2\RDRAM,这几种.
前者EDO是早期的内存条486以前.速度慢,72线.
SD内存条是486时用的内存条.我现在用的也是这种.速度一般.它的型号分为:PC66\PC100\PC133\PC150这几种,平时我们用的Z多是就是PC133的那种了,也有用PC100的
DDR内存条的速度是SD内存条的两倍,也是当今内存的主流,型号分为:PC1600\PC2100\PC2700\PC3200\PC3500
对就的:ddr200\ddr266\ddr333\ddr400\ddr433!
内存条上都贴有容量.一般都能够看得到的.希望能够帮到你~!
1 0 2006-01-07 0条评论 回复
如果没有你冰
常有的内存主要分为:SDRAM,DDRSDRAM和DDR2SDRAM三种。
SDRAM的中文含义是“随机动态储存器”DDR中文含义是“双倍速率随机储存器”
传统的SDRAM内存的金手指部分有两个缺口,有168个接触点。
而DDRSDRAM内存的金手指有184个接触点
DDR2SDRAM内存的金手指有240个接触点
20 0 2006-01-07 0条评论 回复
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