直接把测试点放在芯片上,测出来的温度不是结温。
1. 所为结温∶是在芯片中间 P层和N层接合面的温度,这个接合面不是以粘合方法制作,而是强迫力挤入形成,无法接触到;
2. 芯片本身(GaAs)热传导能力有限(和金属比较);
3. 芯片发光时,以热电偶式量测会有光电效应干扰,以红外线量测有光干扰,所以无法直接量测。所以只有以间接的方法,计算得到。
因为芯片上的温度干扰因素无法量化,所以无法采用,只能用LED外侧Z接近的金属位置量测,因为热阻系数是固定参数,多测试几种功率,然后以联立方程式计算,可以得到接近的结温。