为什么说p型半导体n型表面态结构的光阴极更有利于光电发射

纯半导体是没有任何杂质的半导体，P型半导体和N型半导体是加入了其他一些元素的半导体，P型半导体和N型半导体合在一起会形成PN结，电流只可以从P流到N，不能反相移动，二极管就是根据这个原理制作出来的。

P型半导体N型表面在未建立平衡之前两者的费米能级是不相同的，应该说前者低于后者。因此，表面态中的电子会跃迁到P型半导体的受主能级上，使得费米能级产生平衡。故在外表面层会形成正的空间电荷区，内表面层形成负的空间电荷区，导致靠近表面的电位下降，从而导致表面层的能带向下弯曲，从能量角度来看向下弯曲的能带降低了导带底和真空能级之间的能量差，故电子从导带溢出到真空能级所需要的能量减小了，更多的受激电子能够从半导体表面逸出，从而有利于光电发射，楼上瞎扯PN结完全不懂电子亲和势的概念，纯属误导