你知道PC817光耦的控制电流与功率管输出的Z大值吗 详细??

虽然所有栅极驱动光耦合器的输入端均有一个LED 及隔离输出端均有一个光学探测器，其操作功能却与CTR 无关紧要，因为它们是靠数字信号格式下运作的。作为探测器如其可以检测到LED是否处于ON或OFF 状态，其输出将反映相应的功能。例如ACPL-332J 的情况-它的功能是利用PWM 输入信号来造成输出端输出同一 PWM 信号，进而数字化驱动IGBT 或PowerMosfet。它虽也具有特定缓冲驱动能力，但与CTR 完全无关。ACPL-332J 是能够驱动高达2. 电流的栅极驱动光耦合器。 MOS 管的应用及导通特性和应用驱动电路的总结。 在使用MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑 MOS 的导通电阻，Z大电压等，Z大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET 及MOSFET 驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS 管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 1，MOS 管种类和结构 MOSFET 管是 FET 的一种（另一种是 JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或N 沟道共4 种类型，但实际应用的只有增强型的N 沟道MOS 管和增强型的P 沟道MOS 管，所以通常提到NMOS，或者PMOS 指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS 管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS 管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS 为主。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS 管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的 MOS 管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2，MOS 管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）， 只要栅极电压达到4V 或10V 就可以了。 PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 3，MOS 开关管损失 不管是 NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS 管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 4，MOS 管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS 管导通不需要电流，只要GS 电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在MOS 管的结构中可以看到，在GS，GD 之间存在寄生电容，而MOS 管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS 管驱动时diyi要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的 NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大4V 或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC 大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS 管。 上边说的4V 或10V 是常用的MOS 管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS 管用在不同的领域里，但在12V 汽车电子系统里，一般4V 导通就够用了。 MOS 管的驱动电路及其损失，可以参考 Microchip 公司的 AN799MatchingMOSFETDriverstoMOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。 5，MOS 管应用电路 MOS 管Z显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。 这三种应用在各个领域都有详细的介绍，这里暂时不多写了。以后有时间再总结 问题提出： 现在的MOS 驱动，有几个特别的需求， 1，低压应用 当使用5V 电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be 有0.7V 左右的压降，导致实际Z终加在gate 上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate 电压4.5V 的 MOS 管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V 或者其他低压电源的场合。 2，宽电压应用 输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM 电路提供给MOS 管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS 管在高gate 电压下安全，很多MOS 管内置了稳压管强行限制gate 电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。 同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate 电压，就会出现输入电压比较高的时候， MOS 管工作良好，而输入电压降低的时候gate 电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。 3，双电压应用 在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V 或者3.3V 数字电压，而功率部分使用12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。 这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管，同时高压侧的MOS 管也同样会面对1 和2 中提到的问题。 在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS 驱动IC，似乎也没有包含gate 电压限制的结构。 于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。 电路图如下： 图1 用于NMOS 的驱动电路 图2 用于PMOS 的驱动电路 这里我只针对NMOS 驱动电路做一个简单分析： Vl 和Vh 分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl 不应该超过Vh。 Q1 和Q2 组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3 和Q4 不会同时导通。 R2 和R3 提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。 Q3 和Q4 用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3 和Q4 相对Vh 和GND Z低都只有一个Vce 的压降，这个压降通常只有0.3V 左右，大大低于0.7V 的Vce。 R5 和R6 是反馈电阻，用于对 gate 电压进行采样，采样后的电压通过 Q5 对Q1 和Q2 的基极产生一个强烈的负反馈，从而把 gate 电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5 和R6 来调节。 Z后，R1 提供了对Q3 和Q4 的基极电流限制，R4 提供了对MOS 管的gate 电流限制，也就是Q3 和Q4 的Ice 的限制。必要的时候可以在R4 上面并联加速电容。 这个电路提供了如下的特性： 1，用低端电压和PWM驱动高端MOS 管。 2，用小幅度的PWM信号驱动高gate 电压需求的MOS 管。 3，gate 电压的峰值限制 4，输入和输出的电流限制 5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。 6，PWM信号反相。NMOS 并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。