怎么测量mos管的导通内阻

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。

电子负载这东西本身就有一定的技术含量，不是那么方便的.
简单的说，MOS管为核心的电子负载就是相当于一个PWM控制的电子开关，通过改变占空比，来改变输出电流的时间长短（也就是单位时间中，MOS管导通的比例），以此改变平均电流大小，然后根据中学里的电阻发热公式改变热量大小.