精确测量硅片上的二氧化硅薄膜的厚度

若实验未开始，在蒸镀的时候，遮上一块硅片，根据探针测试法就可以知道二氧化硅薄膜厚度了。
如果已蒸镀，可用氢氟酸和氟化氨溶液将二氧化硅腐蚀，不一定要劈尖状，因为量一下腐蚀彻底的边缘硅片厚度，再与硅片上二氧化硅薄膜完整的区域的厚度，一比较，就可知道薄膜厚度。

1.氧化层台阶的制备：取一片长有氧化层的硅片，在其表面涂一小点黑胶，将此硅片置于丝网上在酒精灯上加热，使黑胶融化覆盖在硅片的一小区域。然后，将硅片浸入HF腐蚀液中，腐蚀去除黑胶未覆盖区域的二氧化硅层。腐蚀时，应时常用镊子取出硅片，注意观察硅片的亲疏水性，如疏水（SiO2亲水、Si疏水），则裸露的氧化层已腐蚀干净，立即取出，以免造成过腐蚀，使台阶过窄。清水冲洗干净硅片，用滤纸吸干水分，再用甲苯棉球将黑胶除去，酒精棉球擦净表面。
⒉测量薄膜厚度：将带有二氧化硅台阶的硅片，用一滴水沾在玻璃片上，增加吸附力，然后将玻璃片连同硅片倒置在金相显微镜的载物台上（硅片在下，玻璃片在上），移动载物台，从物镜中观察到二氧化硅台阶后，调整焦距，从目镜观察到清晰的条纹，直接读出干涉亮（或暗）条纹数m