CCD与CMOS的特点

CCD与CMOS的技术特点主要在于成像过程、集成度、功耗、性能指标等方面。
1.成像过程
　　CCD和CMOS使用相同的光敏材料，因而受光后产生电子的基本原理相同，但是读取过程不同：CCD是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂，读出速率慢；CMOS则以类似DRAM的方式读出信号，电路简单，读出速率高。
2.集成度
　　采用特殊制造工艺的CCD读出电路比较复杂，很难将A/D转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储功能集成到一块芯片上，一般需要多个芯片组合实现，同时还需要一个多通道非标准供电电压。借助于大规模集成制造工艺，CMOS图像传感器能非常容易地把上述功能集成到单一芯片上，多数CMOS图像传感器同时具有模拟和数字输出信号。
3.电源、功耗和体积
　　CCD需多种电源供电，功耗较大，体积也比较大。CMOS只需一个单电源（3V~5V）供电，其功耗相当于CCD的1/10，高度集成CMOS芯片可以做的相当小。
4.性能指标
　　CCD技术已经相当成熟，而CMOS正处于蓬勃发展时期，虽然目前高端CMOS图像质量暂时不如CCD，但有些指标（如传输速率等方面）已超过CCD。
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