卓立汉光 DSi系列硅光电探测器

型号列表及主要技术指标：

技术指标＼型号名称	DSi200 紫敏硅探测器	DSi300 蓝光增强型硅探测器
	进口紫外增强型	进口蓝光增强型
有效接收面积(mm2)	100(Φ11.28)	100(Φ11.28)
波长使用范围(nm)	200-1100	350-1100
峰值波长(nm)，典型值	820nm	970nm
峰值波长响应度(A/W)	0.52	0.60(>0.55)
典型波长的响应度(A/W)	0.14(>0.09)@254nm	0.20(>0.15)@410nm
响应时间(μs)	5.9	2
工作温度范围(℃)	-10～+60	-10～+60
储存温度范围(℃)	-20～+70	-20～+70
分流电阻RSH(MΩ)	10(>5)	(>10)
等效噪声功率NEP(W/√Hz)	4.5×10-13	2.0×10-13
*大操作电流(mA@0V bias)	0.1	10.0
结电容(pf@0V bias)	4500	8800
信号输出模式	电流	电流
输出信号极性	正（P）	正（P）

  
硅光电探测器使用建议：
■ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；