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企业性质生产商
入驻年限第10年
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
|---|---|---|---|
| 波長范围 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范围 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 测定时间 | 1秒 / 1点 | ||
| 光斑大小 | 10μm (*小约5μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源規格 | 氘灯+卤素灯 | 卤素灯 | |
| 电源規格 | AC100V±10V 750VA（自动样品台规格） | ||
| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自动样品台规格之主体部分) | ||
| 重量 | 约 55kg（自动样品台规格之主体部分） | ||
测量项目：
测量示例：SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚测量
半导体晶体管通过控制电流的导通状态来发送信号，但是为了防止电流泄漏和另一个晶体管的电流流过任意路径，有必要隔离晶体管，埋入绝缘膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于绝缘膜。 SiO 2用作绝缘膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介电常数的绝缘膜，或是作为通过CMP去除SiO 2的不必要的阻挡层。之后SiN也被去除。 为了绝缘膜的性能和精确的工艺控制，有必要测量这些膜厚度。
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