企业性质生产商
入驻年限第9年
元素大小(每1列) | 0.77 × 2.5 mm |
像元个数 | 16 |
封装 | Glass epoxy |
封装类型 | With scintillator |
闪烁体类型 | CsI(Tl) |
冷却方式 | Non-cooled |
暗电流 (最大值) | 30 pA |
上升时间 (典型值.) | 6.5 μs |
结电容(典型值) | 30 pF |
测量条件 | Ta=25 ℃, per element |
Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]
Si photodiode / Application circuit examples [129 KB/PDF]