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滨松硅带探测器 S13804

滨松光子学商贸（中国）有限公司

企业性质生产商

入驻年限第9年

营业执照已审核
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详细参数

类型Poly Si-bias AC-readout
硅厚度320 ±15 μm
暗电流 (最大值)3 μA
硅晶体平面方向<100>
击穿电压（最小值）200 V
耗尽电压（最大值）100 V
不合格率（最大值）5 %

外形尺寸(单位:mm)

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